碳化硅陶瓷的三種制備方法

    碳化硅陶瓷制品廣泛應用在各行各業中，因其自身的種種特點，被客戶一致認可。下面為大家介紹一下碳化硅陶瓷的三種制備方法：
    一、反應碳化硅陶瓷，反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右，通過氣相與C反應生成。
    二、熱壓碳化硅陶瓷，雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密，但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類：一類與碳化硅中的雜質形成液相，通過液相促進燒結；一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。
    三、常壓碳化硅陶瓷，常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅，在燒結到2100度以上的溫度下，生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。